Latvijas Universitātes Cietvielu fizikas institūtā (LU CFI) uzsākts jauns lietišķās pētniecības projekts "GoFarUV", kas vērsts uz jaunu tehnoloģisku risinājumu izstrādi, izmantojot ultravioletā starojuma potenciālu dažādās nozarēs. Projektu vada Ph.D. Edgars Butanovs, Plāno kārtiņu laboratorijas vadošais pētnieks.
3. jūnijā LU CFI notika projekta atklāšanas pasākums, kas iezīmēja sadarbības sākumu un pētnieciskā darba galvenos virzienus. Projekts “GoFarUV” paredz izstrādāt jauna tipa fotodetektorus, kas uztver tikai C ultravioletā (UV-C) starojumu, tā sauktos solar-blind sensorus. Tie tiks veidoti, izmantojot amorfas alumīnija gallija oksīda (AlGaO) pusvadītāju plānās kārtiņas un modernu magnetrona izputināšanas tehnoloģiju, kas nodrošina gan augstu veiktspēju, gan iespēju tehnoloģiju pielāgot plašākai ražošanai. Šī inovatīvā pieeja sola būtiskus pavērsienus UV-C sensoru pielietojumos vides uzraudzībā, drošībā un citās nozarēs.
“Šobrīd UV-C fotodetektorus izmanto vides monitoringā, piemēram, lai savlaicīgi konstatētu meža ugunsgrēkus plašās teritorijās, kā arī kosmosa izpētē, un ir potenciāls tos pielietot arī militārajā jomā,” papildina LU CFI institūta vadošais partneris, projekta zinātniskais vadītājs Ph. D. Edgars Butanovs.
Šis starpdisciplinārais projekts sastāv no pētniecības aktivitātēm fizikas un ķīmijas zinātnē, elektrotehnikā, elektronikā, informācijas un komunikācijas tehnoloģijās, kā arī materiālzinātnēs.
Projekta rezultāti:
- Jauns reaktīvs līdzstrāvas magnetronu izputināšanas process amorfu AlGaO plānu kārtiņu uzklāšanai uz cietām un lokāmām pamatnēm izmantošanai UV-C fotosensoros (patenta pieteikums);
- Jaunas zināšanas par fizikālajām parādībām, kas nosaka izputināšanas procesa parametru saistību ar kārtiņu optiskajām un fotoelektriskajām īpašībām, lai optimizētu AlGaO kārtiņu fotoelektrisko veiktspēju (zinātniskie raksti);
- Inovatīvi iepakošanas risinājumi izstrādāto pusvadītāju mikroshēmu integrēšanai, kas piemēroti UV-C detektēšanai līdz 200 nm viļņa garumam, tajā skaitā ar aizmugures apgaismošanas iespēju (prototipa demonstrācija).
Projektā apvienojas akadēmiskā un industrijas kompetence – galvenie sadarbības partneri ir AGL Technologies un RD ALFA Microelectronics.
“Ar šādiem projektiem mēs kāpinām vietējo uzņēmumu konkurētspēju un paveram durvis uz jaunām iespējām eksportēt inovatīvas tehnoloģijas, kā arī veicinām pētniecības iestāžu un privātuzņēmumu sadarbību, nemaz nerunājot par ieguldījumu Latvijas zināšanu bāzē un cilvēkkapitālā,” uzsver fizikas doktors E. Butanovs.
Pirmās sanāksmes laikā projekta komanda vienojās par galvenajiem administratīvajiem aspektiem, izklāstīja ieviešanas plānu un apstiprināja aktivitāšu grafiku – aizraujošs starts trīs gadus ilgajam ceļam, lai tuvinātu Latvijas inovācijas augsto tehnoloģiju komercializācijai.
Projekta zinātniskais vadītājs papildina: “GoFarUV mērķis ir inovācija UV gaismas fotodetektoru jomā, izmantojot jaunu plāno kārtiņu (AlGaO jeb amorfs alumīnija gallija oksīds) un tās uzklāšanas metodi (mērogojama un strauja magnetronā izputināšana). Salīdzinājumā ar pašreizējo UV-C fotodetektoru piedāvājumu mūsu pieeja ir zaļāka, ātrāka un paaugstina detektoru maksimālo jutību tieši tālās UV gaismas diapazonā”.
Iniciatīvu finansē Eiropas Reģionālās attīstības fonds (ERAF).
